铁电存储器

作　者：	James Scott 朱劲松吕笑梅朱旻
出版社：	清华大学出版社
丛编项：
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标　签：	铁电材料

ISBN	出版时间	包装	开本	页数	字数
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作者简介

　　Prof.Scott就学于美国哈佛大学和俄赢亥俄州大学，毕业后在Bell电话实验室量子电子部工作了六年。他曾是美国Colorado大学教授（1971-1992），随后在澳大利亚墨尔本和悉尼工作七年，任新南威尔士大学理学院院长。1999年起他成为英国剑桥大学铁性材料研究的教授。Scott教授在科不杂志上已发表论文400余篇，是5本书的著作或共著者。他是美国物理学会 Fellow，并且从德国得到高级Humboldt奖（1997-1998），从日本得到Monkasho奖（2001），在莫斯科得到名誉博士学位（2003）。他是美国Symetrix公司的创始人之一，并任该公司的指导委员会主席。1997年他曾以科学访问教授身份服务于日本 Sony公司。

内容简介

铁电存储器是近10余年研究出的一种重量轻、抗辐照、存取速度快、寿命长、功耗低的新型存储器，有极好的应用前景。本书是此领域的第一本专著，内容包括铁电基础知识，铁电存储器件的设计、工艺、检测、存储物理有关的问题（击穿、漏电流、开关机制、疲劳）以及铁电存储器件的应用。全书引用了550篇文献，概括了2000年之前人类在该领域所做的主要工作，其中包括著者本人的工作。本书内容新颖、实用，既有理论又有应用（侧重前者）。可供集成电路工程师、器件物理学家参考，也可以作为应用物理和工程类专业高年级本科生和研究生的教学参考书。

图书目录

1 导言

1.1 铁电体的基本性质：体材料

1.1.1 朗道—德冯谢亚理论

1.1.2 软模理论

1.1.3 临界指数

1.1.4 三临界点

1.1.5 无公度铁电体和ANNNI模型

1.2 铁电薄膜：退极化场和有限尺寸效应

1.2.1 小颗粒..

2 RAM的基本性质

2.1 系统设计

2.2 实际器件

2.3 测试

2.3.1 脉冲坝fJ试

2.3.2 i(t)瞬态电流

2.3.3 漏电流测试

2.3.4 保持测试

2.3.5 Ep记测试

2.3.6 电容—电压关系C(y)测试

3 DRAM和NV-RAM的电击穿

3.1 热击穿机制

3.2 Von Hippel方程

3.3 枝晶状击穿

3.4 击穿电压不对称和漏电流不对称

4 漏电流

4.1 Schottky发射

4.2 铁电薄膜Schottky理论的修正

4.3 电荷注入

4.4 空间电荷限制电流SCLC

4.5 负电阻率

5 电容·电压关系C(y)

5.1 支持薄耗尽层的方面

5.1.1 Richardson系数A一

5.1.2 Schottky势垒高度对电子亲和势的依赖

5.1.3 出现在Schottky方程中的介电常数

5.1.4 Schottky修正的SCLC理论

5.1.5 空间电荷限制电流

5.2 支持完全耗尽薄膜的论据

5.3 Zuleeg-Dey模型

5.4 混合模型

5.5 基于XPS的能带结构匹配关系

5.6 离子空间电荷限制电流

6 开关动力学

7 电荷注入和疲劳

7.1 Dawber模型

7.2 钙钛矿铁电体中氧空位有序的疲劳机制

8 频率依赖

8.1 1shibashi—Orihara理论

8.2 界面效应

9 制备过程中的相序

9.1 Sr缺损的优化薄膜

9.2 Bi元素的作用

10 SBT族Aurivillius相层状结构

10.1 RBS研究

10.2 重离子束研究

10.3 表面科学技术(XPS，UPS)

11 淀积和工艺

11.1 溶胶—凝胶旋涂淀积

11.2 溅射

11.3 金属—有机化学汽相淀积MOCVD’

11.4 脉冲激光淀积PLD

11.5 金属—有机分解MOD

11.6 分子束外延MBE

12 非破坏性读出器件

12.1 铁电场效应管(FET)

13 基于超导体的铁电器件：相控阵雷达和

IOGHz一100GHz器件

14 薄膜黏结

15 电子发射和平面显示器

“ 光学器件

17 纳米相器件

17.1 刻蚀

17.2 表面液滴外延

17.3 利用Ei表面液滴优化SBT的化学配比

17.4 边缘场

17.5 钛酸铋

18 缺点和不足

18.1 高制备温度

18.2 毒性

18.3 表面和界面现象

18.4 半选择干扰脉冲

18.5 疲劳

18.6 印记

18.7 尺度

18.8 短期瞬态电流

18.9 击穿

18.10 漏电流

18.11 抗辐照强度

18.12 前景

习题

参考文献

索引