硅基半导体应变理论与生长动力学

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硅基半导体应变技术是21世纪延续摩尔定律的关键技术之一。根据IRDS（国际设备和系统路线图）对DRAM技术发展趋势的预测， 在今后很长一段时间内， 硅基半导体应变技术仍然是提升半导体器件与电路迁移率和高场传输特性的可持续改进关键技术。本书共分为9章， 主要内容包括硅基半导体应变理论与技术、硅基半导体应变能带理论与空间群、应变锗能带结构计算、硅基半导体应变弹塑性力学理论、临界带隙应变Ge1-xSnx合金能带特性与迁移率计算、硅基半导体应变材料的RPCVD计算流体动力学模拟、硅基半导体应变材料CVD生长机理与生长动力学模型、硅基半导体应变材料的缺陷形成机理与控制方法、硅基半导体应变材料的生长动力学与制备实验等。本书主要面向硅基半导体应变理论与技术领域的研究者， 同时也可作为本科微电子科学与工程专业和研究生微电子学与固体电子学专业相关课程的教学参考书。