碳化硅晶体生长与缺陷

前言

1 碳化硅晶体的多型结构与表征

1.1 晶体的多型

1.2 碳化硅晶体的结构层与基本结构单元

1.3 碳化硅晶体多型的共生与连生

1.4 3C-SiC多型的结构

1.5 2H-SiC多型的结构

1.6 4H-SiC多型的结构

1.7 6H-SiC多型的结构

1.8 15R-SiC多型的结构

1.9 碳化硅晶体多型结构参数的变化

1.10 碳化硅晶体多型结构鉴别概述

1.11 X射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构

1.12 高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构

1.13 吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构

1.14 拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构

符号说明和注解

2 碳化硅晶体的物理气相输运（PVT）法生长

2.1 硅-碳二元体系和硅-碳-金属元素三元体系的相图

2.2 固态碳化硅分解升华的热力学研究

2.3 PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程

2.4 PVT法碳化硅晶体生长系统概述

2.5 PVT法碳化硅晶体生长模型研究

2.6 PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量

2.7 PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合

2.8 生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变

2.9 石墨坩埚生长腔内温度场的演变

符号说明和注解

3 气相组分和碳化硅晶体的生长机制

3.1 气相组分概述

3.2 PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制

3.3 气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位

3.4 纯硅气相组分Sim的稳定构型与能量

3.5 纯碳气相组分Cn的稳定构型与能量

3.6 硅碳气相组分SimCn的稳定构型与能量

3.7 气相组分SimCn构型的转变

3.8 气相组分SimCn的化学序

3.9 气相组分SimCn的相互作用

3.10 气相组分SimCn在生长界面上的结晶

符号说明和注解

4 碳化硅晶体的结晶缺陷

4.1 碳化硅晶体结晶缺陷概述

4.2 碳化硅晶片结晶质量的整体评价

4.3 碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价

4.4 多型共生缺陷

4.5 镶嵌结构缺陷

4.6 堆垛层错

4.7 孔道与微管道

符号说明和注解

后记