新型半导体光电探测器原理与性能

第一章 半导体的光电效应

1．1 光电导效应

1．2 p-n结光伏效应

1．3 光电子发射效应

1．4 光磁电效应

第二章 光电探测器的噪声

2．1 噪声的概率分布

2．2 噪声的功率谱密度

2．3 几种常见的噪声

第三章 光电探测器的性能参数

3．1 光电探测器的工作条件

3．2 光电探测器的响应

3．3 光电探测器的噪声参数

3．4 其他参数

第四章 有机-无机杂化钙钛矿光电探测器

4．1 钙钛矿材料性质

4．2 光电导型钙钛矿光电探测器

4．3 光伏型钙钛矿光电探测器

4．4 晶体管型钙钛矿光电探测器

4．5 光电倍增型钙钛矿探测器

4．6 钙钛矿光电探测器的性能

4．7 全无机钙钛矿光电探测器

第五章 异质结构钙钛矿光电探测器

5．1 与二维材料异质

5．2 与低维纳米结构异质

5．3 其他类型的异质结构

第六章 金属-无机半导体-金属光电探测器

6．1 MSM-PDs基本结构及原理

6．2 GaAs材料MSM-PDs

6．3 InGaAs材料MSM-PDs

6．4 Si／Ge材料MSM-PDs

6．5 GaN材料MSM-PDs

6．6 ZnO材料MSM-PDs

6．7 其他无机材料MSM-PDs

6．8 金属微纳结构改善MSM-PDs的红外响应

第七章 有机光电倍增探测器的研究进展

7．1 有机光电倍增探测器的基本结构及原理

7．2 基于小分子的有机光电倍增探测器

7．3 基于聚合物的有机光电倍增探测器

7．4 有机光电倍增探测器的性能优化

7．5 有机光电倍增探测器工作原理的不同解释

第八章 光电探测器的前景

8．1 钙钛矿光电探测器的前景

8．2 金属-无机半导体-金属光电探测器的前景

8．3 有机光电倍增探测器前景

参考文献