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第1章 引言
1.1 ESD软件工具Prism中的模拟及数字部分的内容
1.2 重要的定义
1.2.1 ESD保护网络
1.2.2 ESD箝位
1.2.3 最大限制的绝对值及脉冲SOA
1.2.4 ESD脉冲技术指标
1.2.5 击穿及不稳定性
引言的DECIMM TM仿真例子
第2章 击穿及注入情形下半导体结构中的电导调制
2.1 重要的定义及限制
2.1.1 基本的半导体结构
2.1.2 电导调制及负微分电阻
2.1.3 空间电流的不稳定性、丝状电流形成及抑制
2.1.4 快返回工作
2.1.5 本章内容的方法要点
2.2 反向偏置p-n结的雪崩击穿
2 2.1 雪崩击穿现象的解析描述
2.2.2 p+一p-n结构中雪崩击穿的数值分析
2.3 p-i-n结构中的双雪崩注入
2.3.1 效应的解析描述
2 3.2 p-i-n二极管结构的解析描述
2.4 si n+一n-n+二极管结构中的雪崩注人
2.4.1 解析方法
2.4.2 仿真分析
2.5 n-p-n二极管结构中电导调制的不稳定性
2.5.1 浮置基区中的电导调制：=极管I作模式
2.6 三极管n-p-n结构中的电导调制
2.6.1 基极接地UEB=O（BVCES）时的击穿
2.6.2 发射极浮置IE=0时的情形
2.6.3 共发射极电路IB
