核电磁脉冲安全

前言

第1章 核电磁脉冲环境

1.1 核电磁脉冲效应

1.2 基本的核电磁脉冲环境

参考文献

第2章 核 产生的电磁脉冲

2.1 核电磁脉冲产生机理

2.2 系统产生的电磁脉冲

2.3 核电磁脉冲的特点

第3章 核电磁脉冲干扰

3.1 引言

3.2 准静态干扰

3.3 功率流与孔径的关系

3.4 几种严密方法

3.5 核电磁脉冲干扰计算

3.6 输电线和其他非谐振型汇能器的干扰

参考文献

第4章 核电磁脉耦合

4.1 引言

4.2 电磁脉冲对电小尺寸柱状导体与环状导体的耦合

4.3 电磁脉冲对电缆等长导体的耦合

4.4 HEMP作用下近地有限长电缆外导体感应电流计算

4.5 电力线HEMP感应过电压及其在供电系统中的传输

4.6 电磁脉冲对孔缝的耦合

参考文献

第5章 半导体器件的辐射效应

5.1 基本半导体效应

5.2 中子环境下晶体管特性的叙述

5.3 表面复合速度

5.4 基极—发射极场区的复合

5.5 发射极效率

5.6 高注入水平

5.7 电流增益截止频率

5.8 位移损伤过程

5.9 对入射能量的依赖关系

5.10 损伤常数对电阻率和注入水平的依赖关系

5.11 双极晶体管的中子损伤常数

5.12 硅材料的损伤常数

5.13 锗分析

5.14 离子注入

5.15 半导体器件的结论

参考文献

第6章 集成电路的辐射效应

6.1 集成电路与分立元件电路辐射效应的比较

6.2 中子效应

6.3 y剂量率的影响

6.4 对扩散电阻的影响

6.5 包含光子、质子和电子效应的典型电路分析

6.6 闭锁机理

6.7 四层开关作用